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新聞詳情
西門康IGBT模塊：電力電子領域的核心組件
日期：2025-07-01 13:16
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摘要：西門康IGBT模塊：電力電子領域的核心組件
IGBT模塊技術概述
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，結合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降優(yōu)點。西門康IGBT模塊采用先進的三代、四代甚至五代IGBT芯片技術，具有以下顯著特點：
低導通損耗和開關損耗，提高系統(tǒng)效率
高功率密度設計，減小設備體積
優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和可靠性
集成度高，內(nèi)置NTC溫度傳感器
優(yōu)化的內(nèi)部布局降低寄生電感
西門康IGB...
西門康IGBT模塊：電力電子領域的核心組件
IGBT模塊技術概述
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，結合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降優(yōu)點。西門康IGBT模塊采用先進的三代、四代甚至五代IGBT芯片技術，具有以下顯著特點：
低導通損耗和開關損耗，提高系統(tǒng)效率
高功率密度設計，減小設備體積
優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和可靠性
集成度高，內(nèi)置NTC溫度傳感器
優(yōu)化的內(nèi)部布局降低寄生電感
西門康IGBT模塊使用注意事項
安裝與散熱：
確保散熱表面平整清潔
使用合適的導熱硅脂
按照推薦扭矩緊固安裝螺釘
電氣連接：
主端子連接采用低電感設計
門極驅動線路盡量短且對稱
使用推薦的門極電阻值
保護措施：
實施過流、過壓、過熱保護
避免靜態(tài)和動態(tài)擎住效應
注意dv/dt和di/dt限制
